تؤكد أحدث التسريبات على خطط سامسونج لدعم طراز Galaxy S25 الرائد مع ترقية ذاكرة الوصول العشوائي وسعة التخزين.
وقدمت سامسونج هاتف Galaxy S24 السابق بنموذج رئيسي مختلف مع ذاكرة وصول عشوائي (RAM) بسعة 8 جيجابايت وسعة تخزين 128 جيجابايت، بينما تفوقت الشركات المنافسة في دفع المزيد من الذاكرة وسعة التخزين في النموذج الرئيسي للهواتف الذكية.
وتؤكد أحدث التفاصيل أن سامسونج تستعد لدفع الترقية المتوقعة من المستخدمين إلى الجيل القادم من هواتف Galaxy S.
ووفقاً لهذه المواصفات، فمن المقرر أن يأتي النموذج الرئيسي للهاتف S25 مع ذاكرة وصول عشوائي (RAM) سعة 12 جيجابايت، وسعة تخزين 256 جيجابايت.
وتؤكد المواصفات التي لوحظت في اختبارات أداء الهاتف بالفعل ترقية ذاكرة الوصول العشوائي، كما تكشف التسريبات عن دعم هاتف Galaxy S25 Ultra بذاكرة عشوائية 16 جيجا بايت رام في جميع طرازات الهاتف، ومن المتوقع أن يأتي هاتف Plus بنفس المواصفات.
يُشار إلى أن سامسونج ستعقد المؤتمر القادم في شهر يناير المقبل لإطلاق سلسلة هواتف Galaxy S25 التي تضم ثلاثة إصدارات منها النسخة الرئيسية وGalaxy S25 Plus بالإضافة إلى نسخة Ultra، على أن تقدم العملاق الكوري نسخة Slim الإصدار في حدث منفصل في وقت لاحق.
