بعد استخدام LPDDR5 في سلسلة Galaxy S23 والتحول إلى LPDDR5X في نماذج Galaxy S24، تستعد سامسونج لتحقيق قفزة جديدة في سلسلة Galaxy S25 من خلال تحسين كفاءة ذاكرة الوصول العشوائي.
وفقًا لتقرير صادر عن ETNews، اختارت سامسونج شرائح ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) المصنوعة باستخدام عقدة صغيرة. وتعتمد الشركة في سلسلة Galaxy S24 على شرائح ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) بدقة 13 نانومتر من صنع سامسونج.
أما بالنسبة لسلسلة Galaxy S25، فمن المتوقع أن تعتمد على شرائح بدقة 12 نانومتر، مع إعطاء الطلب الأولي لشركة Micron. وتخطط سامسونج في المستقبل لزيادة نسبة الرقائق المنتجة داخليًا لتلبية احتياجات السلسلة.
يساهم استخدام عقدة 12 نانومتر في تصنيع شرائح ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) في تحسين الكفاءة واستهلاك الطاقة. وستعمل هذه التقنية الجديدة على تقليل الحرارة الناتجة عن الذاكرة، مما سيكون له تأثير إيجابي على الأداء العام للأجهزة. ومن المتوقع أن تكون هذه الذاكرة مصحوبة بمعالج Snapdragon 8 Elite في جميع الطرازات المستقبلية.
أخبار مثيرة للاهتمام لمحبي هواتف سامسونج الصغيرة: الطراز الأساسي Vanilla S25 يأتي مع 12 جيجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي، وهو تحسن ملحوظ مقارنة بالجيل السابق الذي اكتفى بـ 8 جيجابايت. ستوفر هذه السعة المتزايدة جنبًا إلى جنب مع الكفاءة المحسنة لمجموعة الشرائح الجديدة تجربة أداء أقوى وأسرع للمستخدمين.
ومن خلال استخدام شرائح ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) الأكثر كفاءة وإقرانها بمعالج رائد مثل Snapdragon 8 Elite، تهدف سامسونج إلى توفير تجربة أداء متميزة تضع سلسلة Galaxy S25 في صدارة المنافسة.
